丰富的性能、通过硅验证的IP模块系列,对客户现有的IC设计起到了优势互补的作用。该系列可提供各种混合信号IP,内嵌ESD保护电路的性能IO,以及嵌入式闪存IP模块 (包括BIST和flash macros等)。
宏力半导体是唯一一家由SST授权拥有0.25-0.13微米系列SuperFlash ?技术、包括设计和生产服务的晶圆代工厂。其新的设计成果是通过闪存 IP的硅片结果验证了0.13微米基于SST自对准分裂栅单元。该器件性能卓越,可重复擦写10万次以上,数据可保留100年。宏力半导体的闪存IP具有低功耗、可快速编程擦除、以及设计灵活、面积小的等特点。IP扩展度达16M bit,适用端和低端不同嵌入式系统的需求,包括智能卡,汽车系统等。
“宏力已经建立了一支拥有闪存 IP 设计专家的团队,而此次硅验证的数据很好地证明了这支团队的杰出设计能力。这次0.13微米闪存芯片的IP取得如此之好的测试结果,远远出我们的预期。在这次成功的基础上,我们将继续拓宽宏力半导体的0.18微米和0.13微米的Flash IP系列。”宏力半导体销售市场服务单位资深副总Peter Weigand表示,“除了我们现有众多的IP设计模块,宏力现在还能为客户提供快速、灵活的定制服务,以满足嵌入式闪存的应用需求,从而提客户产品的竞争力,并降低设计风险。”
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